MT41K64M16TW-107 AUT:J vs K4A4G165WG-BCWE 比較

詳細な並列比較: MT41K64M16TW-107 AUT:J メーカー: Micron Technology および K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT41K64M16TW-107 AUT:J K4A4G165WG-BCWE
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.85 $16.90
メモリタイプ SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
メモリサイズ 1 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 64M x 16 —
インターフェース Parallel Parallel
Clock Frequency 933 MHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time 20 ns 19 ns
電源電圧 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible 1.2 V
パッケージ 96-FBGA (8 x 14 mm) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade AUT (automotive) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh interval]
データレート 1866 MT/s (DDR3L-1866) 3200 Mbps
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing)
Packaging Tray (T/R per listing) —
Memory Organization — 256M x 16
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active

データシート&リソース

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